Qualcomm，次世代SoC「Snapdragon 835」をSamsungの10nm FinFETプロセスで製造すると発表

　北米時間2016年11月17日，Qualcommは，Samsung Electronics（以下，Samsung）との協業により，同社の次世代ハイエンドSoC（System-on-a-Chip）である「Snapdragon 835」を，Samsungの10nm FinFETプロセス技術で製造すると発表した。
　Samsungの10nm FinFETプロセスは，現行世代の14nm FinFETプロセスと比較して，処理性能が最大27％，電力効率は最大40％向上しているのに加えて，半導体ダイの縮小につながるエリア効率が最大30％向上しているとのこと。このプロセスを用いることにより，より小型で高性能なSoCを実現できると，Qualcommはアピールしている。

　Snapdragon 835を採用する製品は，2017年前半に登場する予定。すでに200以上の製品で採用が決まっているそうだ。

ニューヨークで開かれたQualcommのイベントで，10nm FinFETプロセスで製造されたチップを披露するKeith Kressin氏（Senior vice president，Product management，Qualcomm）と，Ben Suh氏（Senior vice president，Foundry marketing，Samsung）

Qualcommによる当該プレスリリース（英語）

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