ARMとTSMC，7nm FinFETプロセス技術の実現に向けて協力

TSMCと7nm FinFETプロセス技術で協力する複数年契約
配信元	ARM	配信日	2016/03/15

＜以下，メーカー発表文の内容をそのまま掲載しています＞

　英ARM社（本社：英国ケンブリッジ、日本法人：横浜市港北区、以下ARM）と、台湾集積回路製造（TSMC）（本社：台湾新竹市、日本法人：TSMCジャパン株式会社、横浜市西区、以下TSMC）は、低消費電力で高性能の未来のコンピューティングSoCを実現する設計ソリューションを含め、7nm FinFETプロセステクノロジーで協力する複数年契約を発表しました。新しい契約により、両社は長年のパートナーシップを拡大し、最先端のプロセステクノロジーをモバイルだけでなく次世代のネットワークやデータセンターにも普及させます。今回の契約は、ARM ArtisanファウンデーションフィジカルIPを使用した16nmと10nmのFinFETにおける従来の協力も延長します。

　ARMの執行副社長兼プロダクトグループ社長であるPete Huttonは、次のように述べています。

「既存のARMベースのプラットフォームは、データセンター特有の負荷の処理能力を最大10倍に向上することが実証されています。データセンターやネットワークインフラ専用に設計し、TSMC 7nm FinFETに最適化した今後のARMテクノロジーにより、両社のお客様は、すべての性能レベルに業界最低消費電力のアーキテクチャを適用することが可能となります。」

　TSMCのR&D担当バイスプレジデントであるCliff Hou氏は、次のように述べています。

「TSMCは、高度なプロセステクノロジーに継続的に投資し、お客様の成功をサポートしています。7nm FinFETにより、当社はプロセス/エコシステムソリューションをモバイルから高性能コンピューティングに拡大しました。次世代の高性能コンピューティングSoCを設計するお客様にとっては、10nm FinFETプロセスノードより低消費電力で高い性能向上を提供するTSMCの業界最先端の7nm FinFETが有利です。共同最適化したARMとTSMCのソリューションを利用し、市場初のディスラプティブな製品の開発が可能となるでしょう。」

　今回の最新の契約は、先行世代の16nm FinFET、10nm FinFETプロセステクノロジーにおけるARMとTSMCの成功を踏まえています。これまでのTSMCとARMの協力から生まれた革新的技術は、お客様の製品開発サイクルを加速化し、最先端のプロセスとIPの利用を可能にしました。最近の成果には、ArtisanフィジカルIPへの早期アクセス、および16nm FinFET、10nm FinFETでのARM Cortex-A72プロセッサのテープアウトなどがあります。

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